西安實驗邊台-中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究取得新進展

2017-07-12  來自: 西安百家樂官網實驗室設備有限公司 瀏覽次數:378

西安實驗邊台-中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究取得新進展

  近期,中國科學院上海微係統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI(絕緣體上矽)材料與器件課題組在絕緣體襯底上直接製備石墨烯研究方麵取得新進展,目前,該研究工作得到了多個項目支持。

 

  製備絕緣體上石墨烯是推動石墨烯在微電子領域應用的重要基礎條件,針對這一需求,SOI材料與器件課題組的研究人員使用鍺薄膜做催化劑,通過化學氣相沉積(CVD)方法成功在二氧化矽、藍寶石、石英玻璃等絕緣襯底上製備出高質量單層石墨烯材料,並將其成功應用於除霧器等電加熱器件。相關研究成果以Germanium-assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices 為題近期在Small上發表(DOI: 10.1002/smll.201700929)。

 

  石墨烯,由於其優異的物理性質一直受到學術界的廣泛關注,為了實現在微電子領域的應用,石墨烯薄膜需要轉移或直接生長到絕緣襯底上。直接在絕緣襯底上生長石墨烯,有利於獲得晶圓級石墨烯材料,對推動石墨烯材料在集成電路等領域的應用具有重要意義。但由於絕緣襯底本身不具有催化能力,使用Cu(銅)、Ni(鎳)等金屬催化劑又難免引入金屬沾汙,因此該項研究一直麵臨許多挑戰。

 

  上海微係統所信息功能材料國家重點實驗室的汪子文、薛忠營等人基於鍺襯底上生長高質量單層石墨烯的研究基礎,在絕緣襯底上預先沉積鍺薄膜作為催化劑,通過優化石墨烯生長溫度和生長時間,在完全蒸發掉鍺薄膜的同時實現單層石墨烯在絕緣襯底表麵的全覆蓋。在研究中他們還發現,石墨烯的形狀完全依賴於鍺薄膜的形狀,因此該方法既可以實現晶圓級石墨烯薄膜的生長,也可以通過預先設計的鍺圖形定義後續石墨烯器件所需圖形化的生長。獲得的絕緣體上石墨烯材料表現出良好的電學性能,初步展示了其在除霧、電致變色等加熱器件方麵的應用。該項研究為獲得晶圓級絕緣體上石墨烯奠定了基礎,有助於推動石墨烯材料在微電子領域的應用。

 

  該項工作得到了“萬人計劃”青年拔尖人才項目、中科院前沿科學重點研究項目和上海市優秀學科帶頭人計劃的資助。


 

  編輯點評

 

  該項研究工作獲取進展,突破了石墨烯直接在絕緣襯底生長的難題,有利於獲得晶圓級石墨烯材料,推動石墨烯材料在微電子領域的應用。同時,該研究工作取得進展也有助於我國科研工作者在石墨烯材料研究領域取得更進一步的突破。

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關鍵詞: 石墨烯   催化   絕緣體     

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